Способ термического напыления в вакууме заключается в том, что испаряемый материал (проволока или порошок) нагревается в вакуумной камере с разрежением 5 10-5-1 10-7 мм рт. ст. до температуры кипения.

В этой же камере устанавливаются подложки микросхем. Так как температура подложек значительно ниже температуры кипения напыляемых материалов, то на подложках происходят конденсация и осаждение слоев материала Существует несколько способов нагрева материалов до температуры кипения.

Для этого используются вольфрамовые и молибденовые опирали, нагреваемые электрическим током, разогрев материала мощными электронными пучками и пр. Если напыляемый материал может быть изготовлен в виде проволоки или ленты, то он непосредственно обвивается вокруг спиральных нагревателей. Порошкообразный и кусковой материалы помещаются в нагреватель, изготовленный в форме лодочки, или насыпаются в тигель. Термическим напылением в вакууме можно получить пленки из самых различных материалов - из металлов и сплавов, полупроводниковых материалов и пр.

В качестве материала подложки чаще всего используются стекло, керамика, слюда, окись алюминия, диэлектрические материалы (титанаты и пр.), а в некоторых случаях металлы Подложки должны быть тщательно обезгажены и очищены и должны иметь очень гладкую (поверхность. Методы обезгаживания и очистки индивидуальны для каждого типа подложки. Иногда в процессе осаждения подложки должны быть подогреты, для чего используются специальные проволочные нагреватели, армированные в графит.

Применяются также графитовые пластинки, через которые пропускается электрический ток. Толщина пленок, осаждаемых на подложки, лежит в очень широких пределах (10-2-10-6 ); она регулируется расстоянием между напыляемым участком подложки и нагревателем, а также временем напыления.